- tillbaka
- Beskrivning av
- Tekniska data
- Specifikation för hål
- Tillbehör
- Bearbetning
- Nedladdningar
- Lagerförfrågan
VarPol-kontaktlist, 2-radig Artikel nr. 962-60nn6-12
Bild liknande
Parallell
Rätvinklig
Press-fit-teknik
- Kvalitetsnivå 2
- Press-fit-teknik
- Anslutningslängd 12,2 mm
- Antal poler 2–108 (antal poler/rad motsvarar nn i artikelnumret)
- 2-radig
Tekniska data
Grunderna
| Kvalitetsnivå | 2 |
|---|---|
| Antal kontakter | 2–108 |
| Anslutningsteknik | Press-fit-teknik |
| Anslutningslängd | 12,2 mm |
| Avstånd mellan kretskort | 14,55 mm – 18,55 mm |
| Driftstemperatur | -55 °C till +125 °C |
Material
| Isolerande kropp | PBT glasfiberförstärkt, UL 94 V-0 |
|---|---|
| Kontaktmaterial | Kopparlegering |
Mekanisk
| Dimension på rutnätet | 2,54 mm |
|---|---|
| Instickskraft per kontakt | max. 0,9 N |
| Dragkraft per kontakt | min 0,6 N |
Elektrisk
| Driftström | max. 1,9 A |
|---|---|
| Driftspänning | 150 V |
| Kontaktmotstånd | < 20 mΩ |
| Luft- och krypavstånd | 1,2 mm |
| Isolationsmotstånd | >106 MΩ |
Godkännanden / Överensstämmelse
| UL-fil | E130314 |
|---|---|
| Miljö | Uppfyller RoHS-kraven |
Specifikation för hål
| Material | chem. Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | chem. Sn Schicht, max. 1.5 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP, z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Lagerstruktur enligt IEC 60352-5
